JB/T 8951.1-1999 絕緣柵雙極型晶體管




本標準規定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的型號、外形尺寸、" />

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雙極型晶體管檢測

發布日期: 2024-06-21 17:34:53 - 更新時間:2024年06月29日 15:22

雙極型晶體管檢測項目報價???解決方案???檢測周期???樣品要求?

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JB/T 8951.1-1999 絕緣柵

本標準規定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的型號、外形尺寸、額定值、特性、試驗方法和檢驗規則等

Insulated gate bipolar transistor

GB/T 17007-1997 絕緣柵測試方法

Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor

GB/T 6218-1996 開關用空白詳細規范

開關用雙極型晶體管空白詳細規范

Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications

GOST 18604.10-1976 .輸入電阻測量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11

Transistors bipolar. Input resistance measurement technique

GOST 18604.26-1985 .暫態參數測量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки t

Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement

TIS 1864-2009 半導器件.第7部分:

Semiconductor devices.part 7: bipolar transistors

SJ/T 10439-1993 直流參數測試儀.測試方法

本標準適用于SJ/T 10438《雙極型晶體管直流參數測試儀通用技術條件》所規定的性能特性的測試

Test methods for bipolar transister DC parameter testers

JB/T 8951.2-1999 絕緣柵模塊.臂和臂對

本標準規定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的臂和臂對模塊的型號、外形尺寸、額定值和特性、試驗方法和檢驗規則等

Insulated gate bipolar transistor modules arm and pair of arms

GB/T 7576-1998 半導器件 分立器件 第7部分; 第四篇 高頻放大殼額定空白詳細規范

本空白詳細規范規定了制定高頻放大管殼額定雙極型晶體管詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致。 本空白詳細規范是與GB/T4589.1-1989《半導體器件 分立器件和集成電路總規范》和GB/T 12560-1990《半導體器件 分立器件分規范

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification

T/FSI 121-2023 絕緣柵用有機硅凝膠

本文件規定了絕緣柵雙極型晶體管(簡稱 IGBT)用有機硅凝膠的技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和貯存。 本文件適用于各種IGBT模塊用的雙組分加成型有機硅凝膠

Silicone Gels for Insulated Gate Bipolar Transistors

GOST 18604.23-1980 .組合頻率系數測量方法

Bipolar transistors. Method for measuring combination frequencies

GB/T 6217-1998 半導器件 分立器件 第7部分; 第一篇 高低頻放大環境額定的空白詳細規范

本空白詳細規范規定了制定高低頻放大環境額定的雙極型晶體管詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section One--Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

SJ/T 10438-1993 直流參數測試儀.通用技術條件

本標準適用于采用直流法、單脈沖法測試雙極型晶體管直流參數的各類多參數測試儀,也適用于各類單參數的直流參數測試儀。它是直流參數測試儀產品設計、、生產和使用的共同技術依據,也是制訂各種直流參數測試儀產品標準的共同技術依據

General specification for bipolar transister DC parameter testers

GOST 18604.20-1978 .低頻噪聲系數的測量方法

Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies

GB/T 17008-1997 絕緣柵的詞匯及文字符號

Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor

JB/T 8951.1-1999 絕緣柵

本標準規定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的型號、外形尺寸、額定值、特性、試驗方法和檢驗規則等

Insulated gate bipolar transistor

GB/T 17007-1997 絕緣柵測試方法

Measuring methods for insulated-gate bipolar transistor

GB/T 6218-1996 開關用空白詳細規范

開關用雙極型晶體管空白詳細規范

Blank detail specification for bipolar transistors for switching applications

GOST 18604.10-1976 .輸入電阻測量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы малой мощности и устанавливает метод измерения входного сопротивления h11

Transistors bipolar. Input resistance measurement technique

GOST 18604.26-1985 .暫態參數測量方法

Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы и устанавливает методы измерения временных параметров: времени задержки t

Bipolar transistors. Methods of time parameters measurement

TIS 1864-2009 半導器件.第7部分:

Semiconductor devices.part 7: bipolar transistors

SJ/T 10439-1993 直流參數測試儀.測試方法

本標準適用于SJ/T 10438《雙極型晶體管直流參數測試儀通用技術條件》所規定的性能特性的測試

Test methods for bipolar transister DC parameter testers

JB/T 8951.2-1999 絕緣柵模塊.臂和臂對

本標準規定了工作頻率在10到40kHz范圍的快速型絕緣柵雙極型晶體管的臂和臂對模塊的型號、外形尺寸、額定值和特性、試驗方法和檢驗規則等

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GB/T 7576-1998 半導器件 分立器件 第7部分; 第四篇 高頻放大殼額定空白詳細規范

本空白詳細規范規定了制定高頻放大管殼額定雙極型晶體管詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致。 本空白詳細規范是與GB/T4589.1-1989《半導體器件 分立器件和集成電路總規范》和GB/T 12560-1990《半導體器件 分立器件分規范

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section Four--Blank detail specification for case-rated bipolar transistors for high-frequency amplification

T/FSI 121-2023 絕緣柵用有機硅凝膠

本文件規定了絕緣柵雙極型晶體管(簡稱 IGBT)用有機硅凝膠的技術要求、試驗方法、檢驗規則、標志、包裝、運輸和貯存。 本文件適用于各種IGBT模塊用的雙組分加成型有機硅凝膠

Silicone Gels for Insulated Gate Bipolar Transistors

GOST 18604.23-1980 .組合頻率系數測量方法

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GB/T 6217-1998 半導器件 分立器件 第7部分; 第一篇 高低頻放大環境額定的空白詳細規范

本空白詳細規范規定了制定高低頻放大環境額定的雙極型晶體管詳細規范的基本原則,制定該范圍內的所有詳細規范應與本空白詳細規范一致

Semiconductor devices--Discrete devices. Part 7: Bipolar transistors. Section One--Blank detail specification for ambient-rated bipolar transistors for low and high frequency amplification

SJ/T 10438-1993 直流參數測試儀.通用技術條件

本標準適用于采用直流法、單脈沖法測試雙極型晶體管直流參數的各類多參數測試儀,也適用于各類單參數的直流參數測試儀。它是直流參數測試儀產品設計、、生產和使用的共同技術依據,也是制訂各種直流參數測試儀產品標準的共同技術依據

General specification for bipolar transister DC parameter testers

GOST 18604.20-1978 .低頻噪聲系數的測量方法

Transistors bipolar. Methods for measuring noise figure at low frequencies

GB/T 17008-1997 絕緣柵的詞匯及文字符號

Terminology and letter symbols for insulated-gate bipolar transistor

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