荫蒂添的好舒服视频囗交-bbwblowjobtube大乳-少妇免费直播,波多野结衣永久免费视频,久久人妻无码精品一区二区三区,啊灬啊灬啊灬快灬高潮了学长

歡迎訪問中科光析科學技術研究所官網!

GB/T 32495-2016 表面化學分析 二次離子質譜 硅中砷的深度剖析方法

tag: 化學分析 發布日期: 2024-06-21

標準號:GB/T 32495-2016

  中文標準名稱:表面化學分析 二次離子質譜 硅中砷的深度剖析方法

  英文標準名稱:Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon

  標準狀態:現行

  中國標準分類號:(CCS)G04

  標準分類號:(ICS)71.040.40

  發布日期:2016-02-24

  實施日期:2017-01-01

  主管部門:標準化管理委員會

  歸口單位:微束分析標準化技術委員會

主要起草單位

  中國電子科技集團公司第四十六研究所 。

主要起草人

  馬農農 、陳瀟 、何友琴 、王東雪 。

相近標準(計劃)

  20121404-T-469 表面化學分析 二次離子質譜 硅中砷的深度剖析方法 表面化學分析 二次離子質譜 硅中硼深度剖析方法

  20193156-T-469 表面化學分析 二次離子質譜 硅中硼深度剖析方法

  20110886-T-469 表面化學分析 深度剖析 濺射深度測量

  GB/T 29557-2013 表面化學分析 深度剖析 濺射深度測量 表面化學分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析時離子束對準及相關電流或電流密度測量

  20020617-T-469 表面化學分析 濺射深度剖析 用層狀膜系為參考物質的優化方法

  GB/T 20175-2006 表面化學分析 濺射深度剖析 用層狀膜系為參考物質的優化方法

  20150516-T-469 表面化學分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析時離子束對準方法及其束流或束流密度測量方法

  GB/T 34326-2017 表面化學分析 深度剖析 AES和XPS深度剖析時離子束對準方法及其束流或束流密度測量方法

前沿科學公眾號 前沿科學 微信公眾號
中析抖音 中析研究所 抖音
中析公眾號 中析研究所 微信公眾號
中析快手 中析研究所 快手
中析微視頻 中析研究所 微視頻
中析小紅書 中析研究所 小紅書
京ICP備15067471號-35